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Gaufrette sic épitaxiale

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Chine 4 pouces 4H-SiC Substrate de niveau P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Résistivité≥1E5Ω·cm Pour les micro-ondes de puissance à vendre

4 pouces 4H-SiC Substrate de niveau P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Résistivité≥1E5Ω·cm Pour les micro-ondes de puissance

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:Substrate 4H-SiC de niveau P, Substrate 4H-SiC au micro-ondes, 4 pouces de substrat 4H-SiC
Niveau P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω de substrat de JDCD03-002-002 4inch 4H-SiC·cm pour des dispositifs de puissance et à micro-ondes Aperçu Sic est employé pour la fabrication des dispositifs très à haute tension et de haute puissance tels que des diodes, des transistors d... Voir plus
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Chine 4 pouces 4H-SiC Substrate P-Niveau SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Résistance≥1E9Ω·Cm Pour les micro-ondes de puissance à vendre

4 pouces 4H-SiC Substrate P-Niveau SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Résistance≥1E9Ω·Cm Pour les micro-ondes de puissance

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:Substrate 4H-SiC au micro-ondes, 4 pouces de substrat 4H-SiC, Niveau P du substrat 4H-SiC
JDCD03-002-001 Substrat 4H-SiC 4 pouces P-level SI 500.0±25.0μm MPD≤0.3/cm2 Résistivité≥1E9Ω·cm pour appareils électriques et hyperfréquences     Aperçu SiC a une conductivité thermique plus élevée que GaAs ou Si, ce qui signifie que les dispositifs SiC peuvent théoriquement fonctionner à des de... Voir plus
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Chine Substrat 4H-SiC 4 pouces Niveau P Type N 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Résistivité 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm à vendre

Substrat 4H-SiC 4 pouces Niveau P Type N 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Résistivité 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:4inch SiC Substrate
Substrat 4H-SiC 4 pouces Niveau D Type N 350,0±25,0μm MPD≤5/cm2 Résistivité 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm pour les appareils de puissance et micro-ondes     Aperçu Appareils à haute température Comme le SiC a une conductivité thermique élevée, le SiC dissipe la chaleur plus rapidement que les autres maté... Voir plus
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Chine Dispositif de puissance de 2 pouces Transistor à haute mobilité électronique Wafer épitaxial à vendre

Dispositif de puissance de 2 pouces Transistor à haute mobilité électronique Wafer épitaxial

Prix: Negotiable
MOQ: 5
Heure de livraison: Negotiable
Marque: Ganova
Souligner:sic epitaxial wafer 2 Inch, Power Device sic epitaxial wafer, High Electron Mobility Transistor Epitaxial Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Voir plus
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Chine GaN de 2 pouces sur la gaufre en silicium HEMT Epi pour le dispositif de puissance à vendre

GaN de 2 pouces sur la gaufre en silicium HEMT Epi pour le dispositif de puissance

Prix: Negotiable
MOQ: 5
Heure de livraison: Negotiable
Marque: Ganova
Souligner:GaN On Silicon HEMT Epi Wafer, 2 Inch Epi Wafer, Power Device Epi Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Voir plus
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Chine Barrière d'AlGaN 4 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi wafer nitrure de gallium GaN-sur-Si à vendre

Barrière d'AlGaN 4 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi wafer nitrure de gallium GaN-sur-Si

Prix: Negotiable
MOQ: 5
Heure de livraison: Negotiable
Marque: Ganova
Souligner:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Voir plus
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Chine 6 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi Wafer Power Device Nitrure de gallium GaN sur le Si à vendre

6 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi Wafer Power Device Nitrure de gallium GaN sur le Si

Prix: Negotiable
MOQ: 5
Heure de livraison: Negotiable
Marque: Ganova
Souligner:6 Inch sic epitaxial wafer, 6 Inch sic epi wafer, 6 Inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Voir plus
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Chine GaN laser violet sur le silicium 2 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi plaque UV LD Epi plaque à vendre

GaN laser violet sur le silicium 2 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi plaque UV LD Epi plaque

Prix: Negotiable
MOQ: 5
Heure de livraison: Negotiable
Marque: Ganova
Souligner:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Voir plus
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Chine 2 pouces GaN sur le silicium bleu LD Epi Wafer GaN laser bleu sur le silicium à vendre

2 pouces GaN sur le silicium bleu LD Epi Wafer GaN laser bleu sur le silicium

Prix: Negotiable
MOQ: 5
Heure de livraison: Negotiable
Marque: Ganova
Souligner:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Voir plus
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Chine L'éclairage LED bleu GaN sur la plaque de silicium à vendre

L'éclairage LED bleu GaN sur la plaque de silicium

Prix: Negotiable
MOQ: 5
Heure de livraison: Negotiable
Marque: Ganova
Souligner:Silicon Based Gallium Nitride Epitaxial Wafer, HEMT epitaxial wafer, 4 inch sic epitaxial wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Voir plus
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Chine 2 pouces GaN sur le silicium vert LED Epi wafer Nitrure de gallium sur le silicium à vendre

2 pouces GaN sur le silicium vert LED Epi wafer Nitrure de gallium sur le silicium

Prix: Negotiable
MOQ: 5
Heure de livraison: Negotiable
Marque: Ganova
Souligner:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Voir plus
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Chine 4 pouces de GaN sur la plaque de silicone verte LED Epi plaquettes SiC plaquettes épitaxielles à vendre

4 pouces de GaN sur la plaque de silicone verte LED Epi plaquettes SiC plaquettes épitaxielles

Prix: 1000
MOQ: 5
Heure de livraison: Negotiable
Marque: Ganova
Souligner:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Voir plus
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Chine 4 pouces de GaN sur la plaque de silicone verte LED Epi plaquettes SiC plaquettes épitaxielles à vendre

4 pouces de GaN sur la plaque de silicone verte LED Epi plaquettes SiC plaquettes épitaxielles

Prix: 1000
MOQ: 5
Heure de livraison: Negotiable
Marque: Ganova
Souligner:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Voir plus
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Chine 4 pouces d'uGaN sur le nitrure de gallium non dopé de silicium sur la gaufre épitaxienne de silicium à vendre

4 pouces d'uGaN sur le nitrure de gallium non dopé de silicium sur la gaufre épitaxienne de silicium

Prix: 1000
MOQ: 5
Heure de livraison: Negotiable
Marque: Ganova
Souligner:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Voir plus
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Chine gaufrette sic épitaxiale de 150.0mm +0mm/-0.2mm aucun appartement secondaire 3mm à vendre

gaufrette sic épitaxiale de 150.0mm +0mm/-0.2mm aucun appartement secondaire 3mm

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:150.0 mm SiC Epitaxial Wafer, silicon carbide wafer 3mm, SiC Epitaxial Wafer No Secondary Flat
JDCD03-001-003 Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced into substrates, which are subsequently polished. A thin SiC epitaxial layer is then grown on top of this substrate to create an epi-wafer. Today, the semiconductor industry is expanding at a rapid rate, w... Voir plus
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Chine 47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallèle de 1,5 millimètres à vendre

47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallèle de 1,5 millimètres

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:446mm SiC Epitaxial Wafer, 4 H epitaxial silicon wafer, UKAS SiC Epitaxial Wafer
47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single silicon carbide disc. It is made of high-purity SiC crystals, and can be 100mm or 150mm in diame... Voir plus
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Chine 4H gaufrette sic épitaxiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm à vendre

4H gaufrette sic épitaxiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:4H SiC Epitaxial Wafer, silicon carbide wafer ISO9001, SiC Epitaxial Wafer 0.2 /Cm2
4H SiC Epitaxial Wafer ≤0.2 /Cm2 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 Overview The 200-mm wafers can be used for a variety of applications. These wafers are 50% thinner than the standard silicon wafer, so the 200-mm diameter can be used for more SiC devices. The 200-mm size is muc... Voir plus
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Chine 4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm à vendre

4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:4H SiC Epitaxial Wafer, silicon epi wafer 0.025Ω•Cm, SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•Cm
4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. Alpha carbide is the most common, and has a hexagonal crystal structure similar to Wurtzite.... Voir plus
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Chine Substrat SiC de niveau P de 2 pouces pour les appareils électriques et les appareils à micro-ondes à vendre

Substrat SiC de niveau P de 2 pouces pour les appareils électriques et les appareils à micro-ondes

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:P Level SiC Substrate, Microwave Devices silicon carbide substrate, 2 Inch SiC Substrate
P-Level 4H-N/SI260um±25um 2-Inch SiC Substrate For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview Key features Optimizes targeted performance and total cost of ownership for next generation power elec... Voir plus
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Chine Substrat SiC de 2 pouces 350 μm pour l'électronique de puissance exigeante à vendre

Substrat SiC de 2 pouces 350 μm pour l'électronique de puissance exigeante

Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:2 Inch SiC Substrate, Demanding Power Electronics 2 inch wafer, SiC Substrate 350um
P-Level 2-Inch SiC Substrate 4H-N/SI260μm±25μm For Demanding Power Electronics JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview High crystal quality for demanding power electronics As transportation, energy and industrial markets evolve, ... Voir plus
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