Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm
Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Voir plus
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Dispositif de puissance de 2 pouces Transistor à haute mobilité électronique Wafer épitaxial
Prix: Negotiable
MOQ: 5
Heure de livraison: Negotiable
Marque: Ganova
Souligner:sic epitaxial wafer 2 Inch, Power Device sic epitaxial wafer, High Electron Mobility Transistor Epitaxial Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Voir plus
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GaAs Epi Wafer
(15)
JDCD10-001-004 2 pouces GaAs (111) Si Substrats dopés
Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:2 " Substrats dopés au Si, Substrats dopés de 2 pouces
Substrats 2 pouces GaAs (111) dopés Si
Aperçu
Le gallium dans une plaquette GaAs est généralement utilisé dans la production de semi-conducteurs, de baromètres, de diodes électroluminescentes, de thermomètres et de circuits électroniques.C'est un métal argenté et assez doux, ce qui le rend faci... Voir plus
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XRD
Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:Electronic Grade Single Crystal Diamond, Electronic Diamond Substrates, Heat Sink Single Crystal Diamond
XRD Voir plus
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Système de recuit RTP-SA-8 pour le traitement thermique rapide de la production
Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3 month
Marque: Ganova
Souligner:Boost Production Rapid Thermal Processing, Rapid Thermal Processing Annealing System
1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat sources for heating. The internal quartz cavity is insulated and insulated, and the outer shell... Voir plus
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Hall Coefficient Hall Effect Sensor Tester Mobility Resistivity Measurement
Prix: Negotiable
MOQ: 1
Heure de livraison: 8-10week days
Marque: GaNova
Souligner:Hall Effect Sensor Tester Mobility Resistivity, carrier concentration hall effect instrument, Hall Effect Sensor Tester semiconductor
Hall Coefficient Hall Effect Sensor Tester mobility resistivity measurement Product Overview: Hall effect tester is used to measure the carrier concentration, mobility, resistivity, Hall coefficient and other important parameters, and these parameters of semiconductor materials to understand the ele... Voir plus
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ALN 10*10mm2 AlN monocristallin 400±50μM Grade S/P/R
Prix: Negotiable
MOQ: 1
Heure de livraison: Negotiable
Marque: GaNova
Souligner:ALN aluminum nitride wafer, 2H aluminum nitride wafer, 10*10mm2 aln wafer
AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite smooth and low porosity . Aluminium Nitride has higher thermal conductivity , compared to al... Voir plus
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94um Laser Diode Chip Slope Efficiency 1.0W/A Wavelength 915nm
Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: Negotiable
Marque: GaNova
Souligner:94um Laser Diode Chip, high power laser diode chip, 1.0W/A Laser Diode Chip
94μm Laser Diode Chip Slope Efficiency 1.0W/A Wavelength 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design For low power consumption it is essential that the output from the laser diode (LD) is efficiently coupled to the optical waveguide, and there are several approaches reported in the liter... Voir plus
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JDZJ01-001-006 Cristal de graines de SiC de grade S 6" Φ153±0,5 mm
Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Souligner:Cristaux de graines de SiC de 6 pouces, Cristaux de graines de SiC de qualité S, φ153±0, 5 mm de cristal de graines de SiC
Sic catégorie 6" du cristal de graine S catégorie φ153±0.5mm de S
Sic peut résister à un gradient de tension (ou au champ électrique) plus de huit fois plus grand que que le SI ou la GaAs sans subir la panne d'avalanche. Ce champ électrique de panne élevée permet la fabrication des dispositifs ... Voir plus
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Plaquette Ga2O3
(13)
JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Monocristal Substrat Product Grade Single Polishing
Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:Substrate à cristal unique Ga2O3 en libre-service, Catégorie de produit Substrate monocristallin Ga2O3, 10 x 10 mm2 Ga2O3 Substrate à cristal unique
10x10mm2 (010) Substrat monocristallin Ga2O3 autonome dopé au Sn Polissage unique de qualité produit Épaisseur 0,6 ~ 0,8 mm FWHM < 350 arcsec, Ra≤0,5 nm Résistance 1,53E + 18 Ω / cm-3 Dispositifs optoélectroniques, couches isolantes de matériaux semi-conducteurs et Filtres UV
Alors que les di... Voir plus
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JDCD06-001-004 Wafer de silicium de 5 pouces Dispositifs MEMS Circuits intégrés Substrats dédiés pour les dispositifs discrets
Prix: Negotiable
MOQ: 1
Heure de livraison: 3-4 week days
Marque: GaNova
Souligner:Circuits intégrés Wafer de silicium, Discrets appareils Wafer de silicium, Wafer en silicium de 5 pouces
Dispositifs MEMS de plaquette de silicium de 5 pouces, circuits intégrés, substrats dédiés pour dispositifs discrets
Aperçu
Bien que les cristaux de silicium puissent sembler métalliques, ils ne sont pas entièrement métalliques.En raison des "électrons libres" qui se déplacent facilement entre... Voir plus
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Sapphire Wafer
(19)
C-avion Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch
Prix: Negotiable
MOQ: Negotiable
Heure de livraison: Negotiable
Souligner:6inch Sapphire Substrate Wafer
C-avion Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch
Les saphirs sont en second lieu seulement aux diamants dans la longévitéLe diamant est l'élément naturel le plus durable sur terre et des rangs en tant que 10 sur 10 sur l'échelle de Mohs de la dureté minérale. Les saphirs sont également ... Voir plus
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UKAS Patterned Sapphire Substrates Flat Edge Angle
Prix: Negotiable
MOQ: 1
Heure de livraison: Negotiable
Marque: GaNova
Souligner:UKAS Patterned Sapphire Substrates, al2o3 substrate 430um, Patterned Sapphire Substrates OEM
50.80±0.10mm Patterned Sapphire Substrates Flat Edge Angle A-Plane±0.2o 2inch Patterned Sapphire Substrates,LED Chip,Substrate Material The efficacy enhancement of GaN-based LEDs with the patterned-sapphire substrate technique is generally attributed to the improvement in both light extraction effic... Voir plus
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Support de gaufrette en téflon de 6 pouces nettoyant les paniers et les poignées de fleurs
Prix: Negotiable
MOQ: 1
Heure de livraison: Negotiable
Souligner:6inch Wafer Holder, wafer cassette carrier, 25 PCS Wafer Holder
6inch Wafer Holder Cleaning Flower Baskets And Handles PFA Cassette / Cassette of wafer can be customized and designed by customers’ request, able to resist strong acid, strong hydrofluoric acid, strong base and heat up to 200~220℃, use to deliver wafers in acid & base process of Fabrication f... Voir plus
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0.1mm/s To 600mm/s Wafer Dicing Machine X Axis Cutting Range 260mm
Prix: Negotiable
MOQ: 1
Heure de livraison: 8-10week days
Marque: GaNova
Souligner:0.1mm/s Wafer Dicing Machine, wafer saw machine 260mm, 600mm/s Wafer Dicing Machine
DAD3350 Wafer Dicing Machine 0.1 ～ 600mm/s X-Axis Cutting Range 260mm Improved throughput The DAD3350 achieves improvement in throughput by increasing the speed of each axis. Ease of use Operability is improved with installation of an LCD touch screen and Graphical User Interface (GUI). Easy operati... Voir plus
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